格芯公司（格羅方德）GlobalFoundries Inc.創立於2009年3月2日，總部位於美國加利福尼亞州聖克拉拉，全職僱員18,000人，是一家半導體晶圓代工公司，目前是僅次於臺積電（TSMC）與三星電子(Samsung Electronics)的世界第三大專業晶圓代工廠。
格芯公司GlobalFoundries Inc.公司百科：
GlobalFoundries（也稱為GF）是總部位於美國加利福尼亞州聖克拉拉的美國半導體鑄造廠。GlobalFoundries是由Advanced Micro Devices（AMD）的制造部門剝離而創建的。 阿布紮比酋長國通過其子公司Advanced Technology Investment Company（ATIC）成為公司的所有者。
格芯公司主要為AMD，Broadcom，Qualcomm和STMicroelectronics等半導體公司大量生產集成電路。 它在新加坡有5個200毫米（8吋）晶圓制造廠，在德國和新加坡分別有1個300毫米（12吋）晶圓廠，在美國有3個工廠：佛蒙特州（它是最大的私人僱主）有1個200毫米（8吋）晶圓廠，在美國有紐約州有2個300毫米（12吋）晶圓廠。
GlobalFoundries計劃在2022年IPO成為上市公司。
格芯公司GlobalFoundries Inc.制造廠區：
格芯公司除會生產AMD產品外，也有其他公司，如IBM、安謀國際科技（ARM）、博通（Broadcom）、英偉達（NVIDIA）、高通（Qualcomm）、意法半導體（STMicroelectronics）、德州儀器（TI）等晶圓代工制造業務的合作。現時投產中的晶圓廠，12吋的位於德國德累斯頓的一廠（Fab 1，即原AMD的Fab 36和Fab 38），位於美國紐約州中馬爾他（Malta）的八廠(Fab 8）和East Fishkill的十廠（Fab10）（原為IBM的Building 323），以及位於新加坡的七廠（Fab 7）。八吋廠的二廠三廠五廠（Fab 2、3、5）位於新加坡，九廠（Fab9）位於美國佛蒙特州的埃塞克斯章克申。
一、300毫米（12吋）晶圓工廠
- Fab 1：位於德國德勒斯登，占地364,512平方公尺，是由原AMD最早的晶圓廠Fab 36和Fab 38合並而來，格羅方德成立以後這裡就改名為Fab 1 – Module 1 ，後來也將就近的原AMD Fab 30也合並至Fab 1 – Module 2廠區，每個廠區300毫米晶圓的產能可達每月可產出25,000塊以上。 Module 1 廠區主要以40奈米、28奈米BULK制程工藝和22奈米FDSOI制程工藝為主；Module 2 廠區原本以制造200毫米晶圓為主，後來也轉為制造300毫米晶圓，以45奈米及更老的制程為主。 2016年9月格羅方德宣布Fab 1 的12奈米FDSOI制程工藝已經流片成功。預計2019年上半年可接收訂單進行量產。
- Fab 7：位於新加坡兀蘭，收購新加坡的特許半導體而來。本廠以130奈米至40奈米制程、BULK和SOI工藝為主，每月的晶圓產能可達50,000塊/300毫米晶圓（或112,500塊/200毫米晶圓）。
- Fab 8：位於美國紐約馬耳他薩拉托加的盧瑟森林科技園區，自2009年6月開始興建，2012年投入生產，是格羅方德自AMD分離以後興建的廠區裡面最大也是最新進的，主要制造300毫米晶圓，以14奈米制程節點、FinFET工藝為主。每月的晶圓產量可達60,000塊/300毫米晶圓（或135,000塊/200毫米晶圓），以28奈米制程和14奈米制程為主，其中14奈米制程的技術是與三星電子旗下的晶圓廠合作。 2016年9月，格羅方德宣布為該廠投入數十億美元開發 7 奈米制程，採用FinFET、極紫光刻工藝，並預計2018年下半年可投產。
- Fab 10：位於美國紐約東菲什基爾，前IBM的Building 323，由收購IBM微電子事業部而來，以22奈米節點工藝為主。
2019年4月，安森美半導體宣布收購Fab 10。 Fab 11：位於中國大陸四川成都，目前已停產停工。原本預計2018年可投入生產，產能預計每月20,000塊，遠期計劃達到85,000塊/月。目前，因為市場不如預期, 已經停工停產; 被員工爆料晶圓廠內根本沒有設備。並未引進FD-SOI的22nm制程，只能做40 nm制程; 目前這座12吋廠只有進行到第一期工程結束，廠內都是使用從新加坡廠轉移過來的技術跟設備，該新加坡廠是2010年收購的特許半導體旗下的晶圓廠，留下的都是一些老舊、甚至已經淘汰的二手設備。受制於這些設備與技術，這座12吋廠實務上只能作到40 nm的制程，而且產線人員也才剛送到新加坡進行培訓結束── 該晶圓廠根本尚未開始、也無法進行量產; Phase 2: 88,000/M (2019Y, FDSOI), 有業務團隊, 等客戶群夠,就會將機臺move in; FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-On Insulator)制程與主流的FinFET (Fin Field -Effect Transistor)制程都是半導體產業中可量產的電晶體技術，其中FinFET元件主要用於高性能元件，像是GPU和CPU，例如臺積電的主流制程均採用FinFET；而FD-SOI 相對優勢為低功耗、低制程成本與易於整合。
二、200毫米（8吋）晶圓工廠
除了Fab 9，其餘的均為收購特許半導體而來。
- Fab 2：位於新加坡兀蘭。本廠以600至350奈米制程為主，代工產品以汽車電子IC、大功率高電壓IC以及類比-數位混合信號IC為主。
- Fab 3 和 Fab 5：位於新加坡兀蘭。本廠以350奈米至180奈米制程為主，代工產品主要是小型顯示面板驅動器的高電壓IC、行動型電源管理糢組。
- Fab 3E：位於新加坡淡濱尼。本廠主要制造180奈米制程的晶圓，代工產品以汽車電子IC、高電壓電源管理IC和帶有非易失性記憶體的嵌入式混合信號IC為主。
- Fab 6：位於新加坡兀蘭。本廠主要制造180奈米制程的晶圓，代工產品以高整合度CMOS元件和射頻CMOS（RFCMOS）產品為主，像是Wi-Fi、藍牙控制晶片。
- Fab 9：位於美國費蒙特伯靈頓埃塞克斯章克申，由收購IBM微電子事業部而來。本廠以90奈米節點工藝為主，7奈米制程工藝也在本廠開發部署；本廠有一個自有、開放第三方客戶代工業務的掩糢工廠，也是佛蒙特州最大的私人僱主。
格芯公司GlobalFoundries Inc.历史百科：
格羅方德公司（格芯公司）成立於2009年3月2日，是從美國AMD公司制造部門分拆出。母公司分別為AMD及阿布達比主權財富基金阿布達比創投旗下的先進技術投資公司（Advanced Technology Investment Company；簡稱ATIC），其中ATIC占公司股權65.8%，兩公司均享有均等投票權。
- 2010年1月13日，格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）收購新加坡特許半導體。
- 2011年3月6日，ATIC以4.25億美元收購AMD擁有的格羅方德半導體股份餘下的8.8%的股份，成為一家獨立的晶片制造商，使得ATIC成為格羅方德的唯一持股者。
- 2013年，位於美國紐約州的八廠投入運營。 AMD對該廠擁有14%的股份。
- 2014年10月20日，IBM正式宣布邀請格羅方德收購其晶片制造業務，並將在未來3年支付格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）現金15億美元。
- 2016年5月31日，宣布將與重慶官方合資設立12吋晶圓廠，由重慶市官方提供土地與中國中航航空電子系統的廠房，而格羅方德則負責技術升級，將現有的8吋晶圓廠升級為12吋晶圓。
- 2017年2月10日，宣布在中國四川省成都高新區建造12吋晶圓生產項目，投資規糢預計超過100億美元，將成為中國西南部首條12吋晶圓生產線。
- 2017年8月15日，宣布採用高效能 14 奈米 FinFET 制程技術的 FX-14 特定應用積體電路（ASIC）整合設計系統，進入先進晶圓封裝的領域。
- 2018年8月28日，宣布將無限期暫停7奈米制程研發，將人力物力轉至14與12奈米制程研發上。
- 2019年1月31日，以2.36億美元的價格將新加坡的Fab 3E 8英寸晶圓廠賣給世界先進。
- 2019年4月23日，以4.3億美元的價格將美國紐約州的12吋Fab 10晶圓廠賣給安森美半導體（ON Semiconductor）。
- 2019年5月22日，以7.4億美元的價格將旗下ASIC子公司Avera Semiconductor賣給marvell。
- 2019年8月14日，將光罩業務賣給日本凸版公司。
- 2019年10月1日，臺積電對美國，德國和新加坡的GlobalFoundries提起專利侵權訴訟。 臺積電（TSMC）聲稱GlobalFoundries的12 nm，14 nm，22 nm，28 nm和40 nm節點侵犯了其25項專利。臺積電和GlobalFoundries於2019年10月29日宣布了爭端解決方案。 兩家公司同意為其所有現有半導體專利以及將在未來十年內申請的新專利授予新的專利壽命交叉許可。
- 2020年5月，格芯發布通告，成都工廠遣散員工並停工停業。
格芯公司GlobalFoundries Inc.美股投資：
格芯公司計劃2022年IPO上市！