磁阻隨機存取存儲器(MRAM)生產商:Everspin Technologies, Inc.(MRAM)

Everspin Technologies, Inc.(NASDAQ:MRAM)創立於2008年,總部位於美國亞利桑那州Chandler,全職僱員94人,是一家半導體存儲器(記憶體)生產商,為美國及國際上的客戶制造及銷售磁阻隨機存取存儲器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)產品。

Everspin Technologies, Inc.(MRAM)美股百科:

Everspin Technologies是一家開發和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器(MRAM)的公共半導體公司,其中包括獨立和嵌入式MRAM產品以及自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)。

MRAM具有與標準隨機存取存儲器(RAM)類似的性能特徵,同時還具有非易失性存儲器的持久性,這意味著如果從系統中移除電源,其不會丟失其電荷或數據。這一特性使MRAM適用於大量嵌入式應用,如需要性能和持久性的汽車和工業應用。

Everspin Technologies公司成立於2008年6月,是飛思卡爾半導體的一部分。 2014年,Everspin與GlobalFoundries合作,利用40nm和28nm節點工藝在300mm晶圓上生產平面內和垂直MTJ ST-MRAM 。 Everspin於2016年10月IPO上市。

Everspin Technologies提供Toggle MRAM,自旋轉矩MRAM,嵌入式MRAM,磁性傳感器以及航空和衞星電子系統,公司產品應用於工業,汽車,運輸和企業存儲市場。

Everspin Technologies通過直銷渠道和代表和分銷商網路為客戶提供服務。

Everspin Technologies, Inc.(MRAM)历史百科:

磁阻隨機存取存儲器(MRAM)始於1984年,當時Albert Fer和Peter Grünberg發現了GMR效應。十二年後的1996年,提出了自旋轉移力矩,使磁隧道結或自旋閥可以用自旋極化電流進行修改。此時,摩托羅拉開始了他們的MRAM研究,並在1998年研究出第一款MTJ。一年後,在1999年,摩托羅拉開發出256Kb MRAM測試芯片,使得開始生產MRAM技術成為可能,隨後在2002年摩托羅拉授予Toggle專利。業界第一款MRAM(4Mb)產品已投入市場。

早期的MRAM工作大部分由摩托羅拉完成,摩托羅拉於2004年將半導體業務剝離出來創建了飛思卡爾半導體公司,最終將MRAM業務分拆為Everspin Technologies。

2008年,Everspin宣布其MRAM產品系列的BGA封裝將支持256Kb至4Mb的密度。次年,在2009年,Everspin發布了他們的第一代SPI MRAM產品系列,並開始與GlobalFoundries一起交付首批嵌入式MRAM樣品。

到2010年,Everspin已經開始提高產量並出售其第一百萬個MRAM。

隨著產量的增加,Everspin在2011年之前制造並銷售了其第400萬片獨立MRAM和第200萬片嵌入式MRAM。2012年,在90納米工藝生產的64Mb ST-MRAM。

到2016年,Everspin宣布向客戶提供業界首個256Mb ST-MRAM樣品,GlobalFoundries與Everspin共同宣布推出22納米嵌入式MRAM,Everspin於同年10月7日在納斯達克IPO上市。

2017年,Everspin通過為其ST-MRAM產品提供DDR3和DDR4兼容性,將對MRAM的支持擴展到FPGA,使其與Xilinx的UltraScale FPGA存儲器控制器兼容。

2017年9月1日,Kevin Conley被任命為Everspin首席執行官兼總裁。 Conley是SanDisk的前CTO,為公司帶來了企業存儲專業知識。

Everspin Technologies, Inc.(MRAM)美股投資:

  • 參考資料:
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